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Metal organic chemical vapour deposition regrown large area GaN‐on‐GaN current aperture vertical electron transistors with high current capability

Gespeichert in:

Veröffentlicht in: Electronics letters 57, 3 (2021), 145-147
Personen und Körperschaften: Döring, Philipp (VerfasserIn), Driad, Rachid (VerfasserIn), Reiner, Richard (VerfasserIn), Waltereit, Patrick (VerfasserIn), Mikulla, Michael (VerfasserIn), Ambacher, Oliver (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Driad, Rachid [VerfasserIn] • Reiner, Richard 1977- [VerfasserIn] • Waltereit, Patrick 1971- [VerfasserIn] • Mikulla, Michael [VerfasserIn] • Ambacher, Oliver 1963- [VerfasserIn]
Format: E-Book Sonderdruck
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
Hoboken, NJ Institution of Engineering and Technology (IET) 2021
Freiburg Albert-Ludwigs-Universität Freiburg 2021
Gesamtaufnahme: Metal organic chemical vapour deposition regrown large area GaN‐on‐GaN current aperture vertical electron transistors with high current capability; 57, 3 (2021), 145-147
Quelle: Verbunddaten SWB
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ISSN: 1350-911X