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Metal organic chemical vapour deposition regrown large area GaN‐on‐GaN current aperture vertical electron transistors with high current capability
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Electronics letters 57, 3 (2021), 145-147 |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , |
Weitere Verfasser: | Driad, Rachid [VerfasserIn] • Reiner, Richard 1977- [VerfasserIn] • Waltereit, Patrick 1971- [VerfasserIn] • Mikulla, Michael [VerfasserIn] • Ambacher, Oliver 1963- [VerfasserIn] |
Format: | E-Book Sonderdruck |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Hoboken, NJ
Institution of Engineering and Technology (IET)
2021
Freiburg Albert-Ludwigs-Universität Freiburg 2021 |
Gesamtaufnahme: |
Metal organic chemical vapour deposition regrown large area GaN‐on‐GaN current aperture vertical electron transistors with high current capability; 57, 3 (2021), 145-147
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Quelle: | Verbunddaten SWB Lizenzfreie Online-Ressourcen |
ISSN: |
1350-911X
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