Epitaxial growth of GaN buffer layers on Si(111) by reactive magnetron sputtering

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Veröffentlicht in:	Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (2023), Artikel-ID HL 7.6
Personen und Körperschaften:	Borgmann, Ralf (VerfasserIn), Hörich, Florian (VerfasserIn), Bläsing, Jürgen (VerfasserIn), Dempewolf, Anja (VerfasserIn), Bertram, Frank (VerfasserIn), Christen, Jürgen (VerfasserIn), Schmidt, Gordon (VerfasserIn), Veit, Peter (VerfasserIn), Strittmatter, André (VerfasserIn), Dadgar, Armin (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Hörich, Florian [VerfasserIn] • Bläsing, Jürgen [VerfasserIn] • Dempewolf, Anja [VerfasserIn] • Bertram, Frank [VerfasserIn] • Christen, Jürgen [VerfasserIn] • Schmidt, Gordon [VerfasserIn] • Veit, Peter [VerfasserIn] • Strittmatter, André [VerfasserIn] • Dadgar, Armin [VerfasserIn]
Format:	E-Book-Kapitel
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	2023
Gesamtaufnahme:	Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, (2023), Artikel-ID HL 7.6
Quelle:	Verbunddaten SWB Lizenzfreie Online-Ressourcen