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Epitaxial growth of GaN buffer layers on Si(111) by reactive magnetron sputtering
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (2023), Artikel-ID HL 7.6 |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , , |
Weitere Verfasser: | Hörich, Florian [VerfasserIn] • Bläsing, Jürgen [VerfasserIn] • Dempewolf, Anja [VerfasserIn] • Bertram, Frank [VerfasserIn] • Christen, Jürgen [VerfasserIn] • Schmidt, Gordon [VerfasserIn] • Veit, Peter [VerfasserIn] • Strittmatter, André [VerfasserIn] • Dadgar, Armin [VerfasserIn] |
Format: | E-Book-Kapitel |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
2023
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Gesamtaufnahme: |
Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, (2023), Artikel-ID HL 7.6
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Quelle: | Verbunddaten SWB Lizenzfreie Online-Ressourcen |
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