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Grundlagenentwicklung einer Trench-MOS-Technologie auf hexagonalem Siliziumkarbid

Gespeichert in:

Personen und Körperschaften: Hellmund, Oliver (VerfasserIn)
Hochschulschriftenvermerk: Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003
Format: Buch Hochschulschrift
Sprache: Deutsch
veröffentlicht:
Aachen Shaker 2003
Gesamtaufnahme: Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagwörter:
Quelle: Verbunddaten SWB
Fachgebiet: DK 621.315.59
DK 621.382
DK 666.76/.77
DK 546.281'261
DK 621.793/.795
DK 378.245
Signatur: 08.807 8.
ISBN: 383222033X