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Grundlagenentwicklung einer Trench-MOS-Technologie auf hexagonalem Siliziumkarbid
Gespeichert in:
Personen und Körperschaften: | |
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Hochschulschriftenvermerk: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003 |
Format: | Buch Hochschulschrift |
Sprache: | Deutsch |
veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2003
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Gesamtaufnahme: |
Berichte aus der Halbleitertechnik
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Schlagwörter: | |
Quelle: | Verbunddaten SWB |
Fachgebiet: |
DK 621.315.59 DK 621.382 DK 666.76/.77 DK 546.281'261 DK 621.793/.795 DK 378.245 |
Signatur: | 08.807 8. |
ISBN: |
383222033X
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Online
https://www.gbv.de/dms/tib-ub-hannover/373356129.pdfHauptbibliothek
08.807/18. | Verfügbar Bestellung aufgeben Regalstandort: Magazin ⋅ 08.807 8. Regalstandort |
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