Modellierung von Transistoren mit lokaler Ladungsspeicherung für den Entwurf von Flash-Speichern

In dieser Arbeit werden Speichertransistoren mit Oxid-Nitrid-Oxid-Speicherschicht und lokaler Ladungsspeicherung untersucht, die zur nichtflüchtigen Speicherung von Informationen genutzt werden. Charakteristisch für diese Transistoren ist, dass an beiden Enden des Transistorkanals innerhalb der Isol...

Full Description

Bibliographic Details
Authors and Corporations: Srowik, Rico (Author), Rene Schüffny (Author, Consultant), Wolfgang Reinhold (Author), Thomas Mikolajick (Author)
Other Authors: Rene Schüffny (advisor) , Rene Schüffny (referee) , Wolfgang Reinhold (referee) , Thomas Mikolajick (referee)
Type of Resource: E-Book
Language:German
published:
Dresden: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2008
Subjects:
Source:Qucosa