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Monolithically integrated power circuits in high‐voltage GaN‐on‐Si heterojunction technology
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | IET Power Electronics |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , |
In: | IET Power Electronics, 11, 2018, 4, S. 681-688 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Institution of Engineering and Technology (IET)
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Schlagwörter: |