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Monolithically integrated power circuits in high‐voltage GaN‐on‐Si heterojunction technology

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: IET Power Electronics
Personen und Körperschaften: Reiner, Richard, Waltereit, Patrick, Weiss, Beatrix, Moench, Stefan, Wespel, Matthias, Müller, Stefan, Quay, Rüdiger, Ambacher, Oliver
In: IET Power Electronics, 11, 2018, 4, S. 681-688
Format: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
Institution of Engineering and Technology (IET)
Schlagwörter: