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Regrowth rates and dopant activation of Sb+-implanted Si-Ge alloys

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften: Hong, Stella Q., Hong, Q. Z., Mayer, James W.
In: Journal of Applied Physics, 72, 1992, 8, S. 3821-3823
Format: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
AIP Publishing
Schlagwörter: