Characteristics of the Si-SiO2 interface states in thin (70–230 Å) oxide structures

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften:	Kar, S., Narasimhan, R. L.
In:	Journal of Applied Physics, 61, 1987, 12, S. 5353-5359
Format:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	AIP Publishing
Schlagwörter:	General Physics and Astronomy