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Effects of Bi incorporation on the electronic properties of GaAs: Carrier masses, hole mobility, and Bi‐induced acceptor states
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | physica status solidi (b) |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , |
In: | physica status solidi (b), 250, 2013, 4, S. 779-786 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Wiley
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Schlagwörter: |