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Effects of Bi incorporation on the electronic properties of GaAs: Carrier masses, hole mobility, and Bi‐induced acceptor states

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: physica status solidi (b)
Personen und Körperschaften: Pettinari, Giorgio, Polimeni, Antonio, Capizzi, Mario, Engelkamp, Hans, Christianen, Peter C. M., Maan, Jan C., Patanè, Amalia, Tiedje, Thomas
In: physica status solidi (b), 250, 2013, 4, S. 779-786
Format: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
Wiley
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