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Nonequilibrium point defects and dopant diffusion in carbon-rich silicon

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Physical Review B
Personen und Körperschaften: Rücker, H., Heinemann, B., Kurps, R.
In: Physical Review B, 64, 2001, 7
Format: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
American Physical Society (APS)