Ultrafast carrier relaxation in GaN,In0.05Ga0.95N,and anIn0.07Ga0.93N/In0.12Ga0.88Nmultiple quantum well

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Physical Review B
Personen und Körperschaften:	Özgür, Ümit, Everitt, Henry O.
In:	Physical Review B, 67, 2003, 15
Format:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	American Physical Society (APS)