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Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Materials Science Forum
Personen und Körperschaften: Murakami, Eiichi, Furuichi, Takahiro, Takeshita, Tatsuya, Oda, Kazuhiro
In: Materials Science Forum, 924, 2018, S. 711-714
Format: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht:
Trans Tech Publications, Ltd.
Schlagwörter: